维安高压超结MOSFET，轻松解决LED电源浪涌

LED作为新型照明光源，具有高效节能、工作寿命长等优点，目前已广泛使用于LED显示、车用电子、生活照明等各种照明场景。LED恒流驱动特征需要特定的AC-DC恒流驱动电源，为了提高电源能效，LED的驱动电源一般采用单级PFC的拓扑。 

 

 

图一单级PFC拓扑结构

 

如图一所示，单级PFC的拓扑结构在输入端整流桥与高压MOSFET之间没有高容量的电解电容，在遭遇雷击浪涌时，浪涌能量很容易传输到MOSFET上，高压MOSFET VDS易过电压，此时MOSFET很容易发生雪崩现象。在开关电源中，研发工程师要求MOSFET尽可能少发生或不发生雪崩。

 

雪崩是指MOSFET上的电压超过漏源极额定耐压并发生击穿的现象。图二为600V MOSFET的安全工作区示意图，图中红色标线为安全工作区的右边界。雪崩发生时，漏源两端的电压超过额定BVDSS，并伴随有电流流过漏源极，此时MOSFET工作在此边界的右边，超出安全工作区（SOA）。

 

 

图二某600V MOSFET安全工作区（SOA）

 

如图三所示雪崩测量电路及波形，一旦超出安全工作区，MOSFET功耗将大增。左图为雪崩测试的标准电路，右图为雪崩期间的运行波形。MOSFET在关断时因VDS电压过高而进入雪崩状态，雪崩期间漏源极电压电流同时存在，其产生的瞬时功耗达到数KW，会大大影响整个电源的可靠性。且雪崩期间，必须保证其沟道温度不超过额定沟道温度，否则容易导致器件过温失效。

 

 

图三雪崩测量电路及波形

 

那么，应该如何避免MOSFET应用时的雪崩破坏呢？从浪涌防护的角度来说，电源工程师可以增加AC输入端浪涌防护元件的规格，使AC前端器件防护元件吸收掉绝大部分浪涌能量，降低浪涌残压，如增加压敏电阻的尺寸、选择残压更低的压敏以及增加RCD浪涌吸收电路等。另外，亦可选择更高电流ID或者更高耐压规格的MOSFET避免其自生发生雪崩，但更高的ID往往意味着更高的成本，故而，选择更高耐压规格成为一种更简易安全且极具性价比的方案。

 

 

图四800V MOSFET浪涌测试波形 

CH2 VDS （蓝色 200V/div）

CH3 IDS （紫色 1A/div）

 

 

图五650V MOSFET浪涌测试波形

CH2 VDS （蓝色 200V/div）

CH3 IDS （紫色 1A/div）

 

图四为使用耐压为800V MOSFET的LED驱动电源在浪涌发生的波形。图五为耐压为650V MOSFET的50W LED驱动电源在浪涌发生时的波形，二者的浪涌测试条件完全相同。

 

图四图五中VDS波形突然升高的时刻即为浪涌来临的瞬间，图四中的VDS最大电压为848V，图五中VDS最大电压为776V。雪崩消耗的能量来自于浪涌，图五中650V MOSFET关断期间还有较大的漏源电流流过，雪崩现象比较明显。图四中800V MOSFET在关断期间电流为0，没有发生雪崩现象，表明传输到器件上的浪涌能量不足以引起雪崩，可见在该电源中使用800V耐压的MOSFET大大提高了浪涌安全裕量，避免器件发生雪崩。

 

在LED驱动电源，工业控制辅助电源等应用中，电源工程师在设计浪涌防护时，可选择耐压更高的MOSFET，耐压高的器件可将浪涌能量挡在AC 输入端，让输入端口的MOV防护器件来吸收，避免MOSFET超过安全工作区。这样可以大大提高整机电源的浪涌防护能力。

 

LED作为21世纪的绿色照明产品，正在大量取代传统的光源。依托庞大的LED市场，国产器件在SJ MOSFET领域替换进口品牌的潜力极大。维安结合市场和客户的需求，在产品工艺、封装上持续创新，针对LED照明领域通用的800V以上耐压的规格，在产品系列、规格尺寸上也更加齐全。

 

 

表一   维安800V SJ-MOSFET 主推规格列表

 

上述表格中，03N80M3,05N80M3可以应用在浪涌要求较高的辅助电源中，比如工业380VAC输入的3-5W辅助电源。相比650V规格，其浪涌能力明显提高；相比平面工艺的2N80规格，导通电阻明显降低，温升和效率性显著提升。